Name: SMUN5111DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: SMUN5111DW1T1GOSTR-ND
Price: 0.31375 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SMUN5111DW1T1G
DigiKeyn tuotenumero	SMUN5111DW1T1GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) SMUN5111DW1T1GOSCT-ND - Cut Tape (CT) SMUN5111DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	SMUN5111DW1T1G
Kuvaus	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Valmistajan vakio toimitusaika	51 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Transistorit - bipolaari (BJT) - ryhmät esipainotetut 2 PNP - esipainotettu (kaksinkertainen) 50V 100mA 385mW Kiinnitys pintaan SC-88/SC70-6/SOT-363
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SMUN5111DW1T1G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit Bipolaarinen (BJT) Bipolaaritransistoriryhmät, esibiasoidut	Virta - kollektorin katkaisu (maks.) 500nA
Valmistaja onsemi	Teho - maksimi 385mW
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Luokka Autoteollisuus
Osan tila Aktiivinen	Hyväksyntä AEC-Q101
Transistorin tyyppi 2 PNP - esipainotettu (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - kollektori (Ic) (maks.) 100mA	Pakkaus / kotelo 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.) 50V	Valmistajan laitepakkaus SC-88/SC70-6/SOT-363
DC-virtavahvistus (hFE) (min.) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V	Päätuotenumero MUN5111
Vce-saturaatio (maks.) @ Ib, Ic 250mV @ 300nA, 10mA

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (3)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
DDA114EU-7-F	Diodes Incorporated	13 134	DDA114EU-FDICT-ND	0,33000 €	Suora
PUMB11,115	Nexperia USA Inc.	2 349	1727-5230-1-ND	0,17000 €	Parannus
DDA114YU-7-F	Diodes Incorporated	1 438	DDA114YU-FDICT-ND	0,25000 €	Samankaltainen