MUN5312DW1T1 onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

MUN5312DW1T1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Suora

onsemi

Varastossa: 24 671

Yksikköhinta : 0,20000 €

Suora

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,16000 €

Suora

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 12 000

Yksikköhinta : 0,16000 €

Parannus

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,16000 €

Samankaltainen

Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,24000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

MUN5312DW1T1
DigiKeyn tuotenumero	MUN5312DW1T1-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	MUN5312DW1T1
Kuvaus	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Transistorit - bipolaari (BJT) - ryhmät esipainotetut 1 NPN, 1 PNP - esipainotettu (kaksinkertainen) 50V 100mA 250mW Kiinnitys pintaan SC-88/SC70-6/SOT-363
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	MUN5312DW1T1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit Bipolaarinen (BJT) Bipolaaritransistoriryhmät, esibiasoidut
Valmistaja	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
Transistorin tyyppi	1 NPN, 1 PNP - esipainotettu (kaksinkertainen)
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	100mA
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	50V
Vastus - kanta (R1)	22kOhm
Vastus - emitterikanta (R2)	22kOhm
DC-virtavahvistus (hFE) (min.) @ Ic, Vce	60 @ 5mA, 10V
Vce-saturaatio (maks.) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin katkaisu (maks.)	500nA
Taajuus - siirtymä	-
Teho - maksimi	250mW
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Valmistajan laitepakkaus	SC-88/SC70-6/SOT-363
Päätuotenumero	MUN5312