Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 7.06565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AFGB40T65SQDN
DigiKeyn tuotenumero	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Cut Tape (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	AFGB40T65SQDN
Kuvaus	IGBT 650V 80A TO-263
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	IGBT 650 V 80 A 238 W Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AFGB40T65SQDN -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit	Hilan varaus 76 nC
Valmistaja onsemi	Td (päällä / pois päältä) @ 25°C 17,6ns/75,2ns
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Testitila 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Osan tila Aktiivinen	Käänteinen elpymisaika (trr) 131 ns
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.) 650 V	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Virta - kollektori (Ic) (maks.) 80 A	Luokka Autoteollisuus
Virta - kollektorin pulssi (Icm) 160 A	Hyväksyntä AEC-Q101
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic 2,1V @ 15V, 40A	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Teho - maksimi 238 W	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Kytkentäenergia 858µJ (päällä), 229µJ (pois päältä)	Valmistajan laitepakkaus TO-263 (D2PAK)
Tulon tyyppi Standardi	Päätuotenumero AFGB40