2SD1816T-E on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 2
Yksikköhinta : 1,39000 €
Tekniset tiedot
Transistorit - bipolaari (BJT) - yksittäiset NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Läpivientiaukko TP
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

2SD1816T-E

DigiKeyn tuotenumero
2SD1816T-EOS-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
2SD1816T-E
Kuvaus
TRANS NPN 100V 4A TP
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
Transistorit - bipolaari (BJT) - yksittäiset NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Läpivientiaukko TP
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
2SD1816T-E -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Irtotavara
Osan tila
Vanhentunut
Transistorin tyyppi
Virta - kollektori (Ic) (maks.)
4 A
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)
100 V
Vce-saturaatio (maks.) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Virta - kollektorin katkaisu (maks.)
1µA (ICBO)
DC-virtavahvistus (hFE) (min.) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Teho - maksimi
1 W
Taajuus - siirtymä
180MHz
Toimintalämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo
TO-251-3 lyhyet jalat, IPAK, TO-251AA
Valmistajan laitepakkaus
TP
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.
Ei voi peruuttaa/ei voi palauttaa