IGBT-piirit

7 019 Tulokset

IGBT


IGBT-transistorit (Insulated Gate Bipolar Transistor) ovat monikerroksisia kolmen liittimen puolijohdekomponentteja, jotka soveltuvat korkeisiin virtoihin ja joilla on nopeat kytkentäominaisuudet. Niiden ominaisuuksiin kuuluvat tyyppi, kollektori-emitteriläpilyöntijännite, kollektorivirta, pulssitettu kollektorivirta, VCE(ON), kytkentäenergia ja hilan varaus.