Wolfspeed

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 1,200 V discrete silicon carbide MOSFETs boost efficiency

Image of 1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs Wolfspeed 1,200 V silicon carbide MOSFETs set the standard for performance, ruggedness, and ease of design-in. Extremely fast switching, ultra-low switching loss, and stable conduction loss over temperature assure significant improvement of system efficiency, power density, and overall BOM cost versus silicon MOSFET and IGBT incumbents. They are designed to optimize high-power applications such as uninterruptible power supplies (UPS), motor drives, switched-mode power supplies (SMPS), renewable energy, EV fast chargers, and more. 

Coupled with the 1,200 V SiC Schottky diodes, these MOSFETs create a powerful combination for higher efficiency in applications with strict requirements. Users can evaluate and optimize the high-speed dynamic switching performance of Wolfspeed SiC MOSFETs SpeedVal™ Kit Modular Evaluation Platform.

Features
  • Low RDS(ON) over temperature
  • Fast, rugged intrinsic silicon carbide body diode
  • High-temperature operation: TJ = +175°C
 
  • Available in package options with a separate Kelvin source pin
  • Reduction of heat-sink requirements
Applications
  • Energy storage
  • Solar inverters
  • EV on- and off-board chargers
 
  • UPS and motor drives
  • EV HVAC motor drives
  • Auxiliary power supplies

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

KuvaManufacturer Part NumberKuvausFET-tyyppiTeknologiaJännite nielusta lähteeseen (Vdss)Saatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V1090 - Immediate$6.42Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7C3M0075120JSICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V3569 - Immediate$11.12Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7C3M0075120J-TRSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V283 - Immediate$11.12Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3C3M0075120DSICFET N-CH 1200V 30A TO247-3N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V435 - Immediate$11.12Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LC3M0075120KSICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V547 - Immediate$11.84Näytä tiedot
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120K1200V 40MOHM SIC MOSFETN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V1542 - Immediate$14.28Näytä tiedot
1200V 40 M SIC MOSFETC3M0040120J11200V 40 M SIC MOSFETN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V201 - Immediate$14.74Näytä tiedot
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFETN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V559 - Immediate$14.74Näytä tiedot
1200V 32MOHM SIC MOSFETC3M0032120J11200V 32MOHM SIC MOSFETN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V346 - Immediate$19.18Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0032120KSICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V31 - Immediate$19.18Näytä tiedot
SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-E3M0021120KSIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V601 - Immediate$24.45Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LC3M0021120KSICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V2725 - Immediate$25.15Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3C3M0021120DSICFET N-CH 1200V 100A TO247-3N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V370 - Immediate$24.45Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3C3M0016120DSICFET N-CH 1200V 115A TO247-3N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V798 - Immediate$46.23Näytä tiedot
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-E3M0016120KSIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V645 - Immediate$47.23Näytä tiedot
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4C3M0016120KSICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V170 - Immediate$46.23Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7C3M0350120JSICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V585 - Immediate$6.42Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7C3M0160120JSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7N-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V2004 - Immediate$7.84Näytä tiedot
MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LC3M0032120K1MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V670 - Immediate$19.18Näytä tiedot
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETE3M0075120D1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETN-kanavatyyppiSiCFET (piikarbidi)1200 V127 - Immediate$19.34Näytä tiedot
Published: 2025-01-17

Related Videos

The Power to Make it Real™ – Our Purpose
The Power to Make it Real™ – Our Purpose

Publish Date: 2024-11-07

Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator
Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator
Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Related Product Highlight

Silicon Carbide (SiC) Solutions for Servo Drives The Wolfspeed portfolio of SiC MOSFETs, Schottky diodes, and power modules enables greater flexibility when designing with silicon carbide in servo drives.
Silicon Carbide Solutions for Industrial Low Voltage Motor Drives The Wolfspeed broad portfolio of SiC MOSFETs and Schottky diodes offers flexibility when designing efficient low-voltage motor drive solutions.
Silicon Carbide Solutions for Heat Pumps and Air Conditioners Wolfspeed silicon carbide solutions enable more efficient heat pumps and air conditioners with minimal redesign.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.
No Hype Here: SiC MOSFETs Are Very Real Although overshadowed by consumer electronics hype, SiC-based MOSFETs are quietly impacting power-related subsystem performance.