SQJ264EP 60 V MOSFET

Vishayn SQJ264EP tarjoaa tilansäästöä ja korkeampaa hyötysuhdetta DC/DC-hakkurivirtalähteille autosovelluksissa, esimerkkinä infotainment-järjestelmät, näytöt ja ledivalaistus, samoin kuin sähköpyörien tehomuunnokset. Laitteessa yhdistyvät ylä- ja alapuolen MOSFET-transistori pienessä 5 mm x 6 mm:n kotelossa. Sen alapuolen maksimi johtamisresistanssi on jopa vain 8,6 mΩ. Laite sisältää kaksi TrenchFET^® MOSFET-transistoria epäsymmetrisessä kotelossa. Tämä autoteollisuuskäyttöön soveltuva laite vähentää komponenttien määrää ja piirilevyltä vaadittavaa tilaa sekä lisää samalla tehotiheyttä erillisiin MOSFET-ratkaisuihin verrattuna.. Lisäksi sen optimoitu piirikoko, jossa yhdistyvät sekä ohjaus- (yläpuolen) että synkronoidut (alapuolen) MOSFET-transistorit, tarjoaa korkeamman hyötysuhteen kuin symmetriset kaksoislaitteet tehomuunnoksissa, joiden käyttöjaksot ovat alle 50 %.

Lokinsiipijalat on suunniteltu parantamaan mekaanista kestävyyttä. Malli helpottaa myös automaattista optista tarkastusta (AOI). Laitteen yleinen rakenne vähentää juotosväsymyksen ja puutteellisen kostutuksen riskejä. Tämä parantaa levytason luotettavuutta autoteollisuuskohteissa.