SiSS52DN 30 V N-kanavan MOSFET

Vishayn monikäyttöinen SiSS52DN 30 V on n-kanavan TrenchFET^® gen V MOSFET-tehotransistori, joka tarjoaa korkeamman tehotiheyden ja tehokkuuden sekä erotettuihin että erottamattomiin topologioihin ja yksinkertaistaa osien valintaa suunnittelijoille, jotka työskentelevät molempien topologioiden kanssa. Laite toimitetaan 3,3 mm x 3,3 mm:n termisesti parannetussa PowerPAK 1212-8S -kotelossa ja se tarjoaa luokkansa parhaan johtamisresistanssin 0,95 mΩ jännitteellä 10 V, mikä on 5 %:n parannus aikaisemman sukupolven tuotteisiin nähden. Lisäksi tämä MOSFET tarjoaa 1,5 mΩ:n johtamisresistanssin jännitteellä 4,5 V samalla kun sen johtamisresistanssi kertaa hilavaraus on 29,8 mΩ*nC jännitteellä 4,5 V on erittäin alhainen (tämä on kytkinsovelluksissa MOSFET-transistoreille käytettävä erittäin tärkeä hyvyysluku (FOM)). SiSS52DN-piirin FOM edustaa 29 % parannusta edellisen sukupolven laitteisiin nähden. Tämä tarkoittaa vähemmän johtumis- ja kytkentähäviöitä ja se säästää energiaa tehomuunnossovelluksissa.