Vishay / Siliconix

MaxSiC™ MOSFET

Vishayn MOSFET-transistorit mahdollistavat korkeamman suorituskyvyn ja huippuluokan hyötysuhteen korkeatehoisissa sovelluksissa

Kuvassa Vishay Siliconix MaxSiC™ MOSFETVishay MaxSiCTM SiC (Silicon-Carbide, piikarbidi) -MOSFET-transistorit käyttävät valmistajakohtaista teknologiaa, joka yhdistää tehokkaasti sekä johtamisresistanssin että kytkemistehokkuuden tarjoten lujatekoisen komponentin alhaisella loiskapasiteetilla, parannetulla SCWT (Short-Circuit Withstand Time) -arvolla, korkeammalla läpilyönti-immuniteetilla sekä kilpailukykyisellä hilaoksidin sähkökentällä.

Nämä SiC MOSFET-transistorit tarjoavat kilpailukykyisen hyvyysluvun ja vastaavat markkinoiden kysyntään esimerkiksi sellaisilla kasvualueilla kuten teollisuuden moottoriohjausinvertterit, fotosähköinen (PV) energiamuunnos sekä tallennusjärjestelmät, ajoneuvoon asennetut laturit, latausasemat, palvelimet (datakeskukset) sekä keskeytymättömät UPS (Uninterruptable Power Supply) -virtalähteet.

Ominaisuudet
  • Nopea kytkentänopeus
  • 3 μs oikosulun kestoaika
  • 1200 V nielu-lähde-jännite
  • 139 W maksimi tehohäviö (TC=+25 °C)
  • 29 A jatkuva nieluvirta (TC=+25 °C)
  • −55 °C ... +150 °C siirtymävyöhykkeen käyttölämpötila-alue
  • Lyijytön ja halogeeniton
  • Saatavana TO-247 3L -kotelossa
  • RoHS-direktiivin mukainen
Käyttökohteet
  • Laturit
  • Apumoottorikäytöt
  • DC/DC-muuntimet

MaxSiC MOSFETs

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$3.05Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$3.65Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET494 - Immediate$8.79Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$5.80Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$11.40Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$11.74Näytä tiedot
Published: 2024-09-03

Related Articles and Blogs

Reduce Losses in High-Voltage Switched-Mode Power Systems with Silicon Carbide MOSFETs Designers can take advantage of silicon carbide (SiC) technology’s core attributes and recent enhancements to increase efficiency and power density.