Vishay Semiconductor - Opto Division

TSHF5211 IR-emitteri

Vishayn IR-emitterit tarjoavat korkeamman säteilyvoimakkuuden ja nopeamman kytkentäajan kuin edellisen sukupolven komponentit

Kuvassa Vishay Semi Opto TSHF5211 IR-emitteriVishay tarjoaa 890 nm:n huippunopeat infrapunasäteilyä (IR) emittoivat diodit kirkkaassa sävyttämättömässä jalallisessa muovikotelossa. Pintaemitteriteknologiaan perustuva TSHF5211 yhdistää erinomaisen lämpötilakerroin-arvon −1,0 mV/K (VF ) 50 % korkeammalla säteilyvoimakkuudella ja nopeammilla nousu- ja laskuajoilla kuin aikaisemman sukupolven komponentit. Emitteri sopii spektrisesti hyvin yhteen piistä valmistettujen fotodetektorien kanssa. Nämä emitterit soveltuvat teollisuuden mittaussovelluksiin.

Ominaisuudet
  • Kotelotyyppi: jalallinen
  • Kotelomuoto: T-1¾
  • Mitat: Ø 5 mm
  • Asennusjalat
  • Aallonpituuden huippuarvo: λp = 890 nm
  • Erittäin luotettava
  • Korkea säteilyteho ja intensiteetti
  • Puolen intensiteetin kulma: ϕ = ±10°
  • Alhainen päästöjännite
  • Hyvä spektrinen yhteensopivuus piistä valmistettujen fotodetektoreiden kanssa

TSHF5211 IR Emitter

KuvaManufacturer Part NumberKuvausTyyppiVirta - DC-myötävirta (If) (maks.)Säteilyintensiteetti (Ie) min. @ IfSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IR EMITTER DH 890NM 5MM 10DEGTSHF5211IR EMITTER DH 890NM 5MM 10DEGInfrapuna (IR)100mA150mW/sr @ 100mA3879 - Immediate$0.42Näytä tiedot
Published: 2024-09-17