Gen 3 1200 V:n SiC Schottky -diodit

Product Highlights > Gen 3 1200 V:n SiC Schottky -diodit

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

            Gen 3 1200 V:n SiC Schottky -diodit
  
                    Vishayn diodit parantavat hakkurivirtalähteiden hyötysuhdetta ja luotettavuutta

Kuvassa Vishayn Gen 3 1200 V:n SiC Schottky -diodeja Vishayn 16 Gen 3 1200 V:n piikarbidista (SiC) valmistettua Schottky-diodia käyttää MPS (Merged PIN Schottky) -ratkaisua. Niissä myös yhdistyvät korkea virtapiikkien kestävyys sekä alhainen myötäsuuntainen jännitehäviö, kapasitiivinen varaus sekä käänteinen vuotovirta, jotka parantavat hakkurivirtalähteiden hyötysuhdetta ja luotettavuutta. Diodien MPS-rakenteen takaosaa on ohennettu käyttäen laser-lämpökäsittelyteknologiaa, mikä laskee niiden myötäsuuntaista jännitehäviötä. Laitteiden alhainen tyypillinen käänteinen vuotovirta vähentää johtamishäviöitä, mikä takaa järjestelmän korkean hyötysuhteen kevyen kuormituksen ja tyhjäkäynnin aikana. Hyötysuhteen parantamiseksi Gen 3 -diodeissa ei ole käytännössä lainkaan toipumiskäyrää, toisin kuin ultranopeissa diodeissa.

Nämä diodit tarjoavat FBPS- ja LLC-muuntimiin AC/DC PFC- ja DC/DC-lähtösuodatuksen erittäin korkealla taajuudella sellaisissa sovelluksissa kuten aurinkoenergiainvertterit, energian tallennusjärjestelmät, teollisuusohjaimet ja työkalut sekä datakeskukset.

Ominaisuudet

Parempi robustisuus:
- Toimintalämpötila jopa +175 °C
- Myötäsuuntainen virtapiikkiluokitus jopa 260 A
- Valumassa korkealla CTI-arvolla (600 tai korkeampi) takaa erinomaisen sähköisen eristyksen korkeilla jännitteillä (D2PAK 2L -kotelo)
Parempi luotettavuus:
- Läpäisee 2000 tunnin HTRB (Higher-Temperature Reverse Bias) -testauksen sekä 2000 lämpösyklin lämpösyklitestauksen

Saatavana myötäsuuntaisella virralla 5 A – 40 A
Saatavana läpiasennuskoteloissa TO-220AC 2L, TO-247AD 2L ja TO-247AD 3L sekä D2PAK 2L (TO-263AB 2L) -pintaliitoskoteloissa
Parempi hyötysuhde:
- Alhainen myötäsuuntainen jännitehäviö: jopa vain 1,35 V
- Alhainen kapasitanssivaraus: jopa vain 28 nC
- Alhainen tyypillinen käänteinen vuotovirta: jopa vain 0,3 µA lämpötilassa +25 °C

Gen 3 1,200 V SiC Schottky Diodes

Manufacturer Part Number	Kuvaus	Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If	Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io)	Saatavana oleva määrä	Hinta	Näytä tiedot
VS-3C05ET12T-M3	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC	1.5 V @ 5 A	5A	743 - Immediate	$4.53	Näytä tiedot
VS-3C10ET12T-M3	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC	1.5 V @ 10 A	10A	505 - Immediate	$6.77	Näytä tiedot
VS-3C15ET12T-M3	DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC	1.5 V @ 15 A	15A	1000 - Immediate	$9.09	Näytä tiedot
VS-3C20ET12T-M3	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC	1.5 V @ 20 A	20A	914 - Immediate	$11.07	Näytä tiedot
VS-3C05ET12S2L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB	1.5 V @ 5 A	5A	761 - Immediate	$3.92	Näytä tiedot
VS-3C10ET12S2L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB	1.5 V @ 10 A	10A	713 - Immediate	$5.63	Näytä tiedot
VS-3C15ET12S2L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 15A TO263AB	1.5 V @ 15 A	15A	767 - Immediate	$7.15	Näytä tiedot
VS-3C20ET12S2L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263AB	1.5 V @ 20 A	20A	780 - Immediate	$8.78	Näytä tiedot
VS-3C10EP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247AD	1.5 V @ 10 A	10A	484 - Immediate	$6.92	Näytä tiedot
VS-3C15EP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 15A TO247AD	1.5 V @ 15 A	15A	475 - Immediate	$9.57	Näytä tiedot
VS-3C20EP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AD	1.5 V @ 20 A	20A	500 - Immediate	$11.40	Näytä tiedot
VS-3C30EP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247AD	1.5 V @ 30 A	30A	465 - Immediate	$13.14	Näytä tiedot
VS-3C10CP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO247AD	1.5 V @ 5 A	5A	350 - Immediate	$7.66	Näytä tiedot
VS-3C20CP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AD	1.5 V @ 20 A	20A	180 - Immediate	$11.96	Näytä tiedot
VS-3C30CP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247AD	1.5 V @ 30 A	30A	496 - Immediate	$14.44	Näytä tiedot
VS-3C40CP12L-M3	DIODE SIL CARB 1200V 40A TO247AD	1.5 V @ 40 A	40A	459 - Immediate	$16.69	Näytä tiedot