Galvaanisesti erotettu yksittäinen hilaohjain STGAP2SiCS SiC-MOSFET-transistoreja varten

STMicroelectronicsin STGAP2SiCS on korkean jännitteen (jopa 1200 V) hilaohjain, joka on valmistettu käyttäen BCD6s-teknologiaa. Laite käyttää 6 kV:n galvaanista erotusta hilan ohjauskanavan ja alhaista jännitettä käyttävien ohjaus- ja rajapintapiirien välillä. Laite kuuluu 6 kV:n galvaanisesti erotettuun perheeseen kompaktissa kotelossa. Laite voi kuluttaa ja myös syöttää jopa 4 A. Lukitustoiminto ehkäisee ristiinjohtavuuden. Laite sisältää dedikoidut tulopinnit kutakin lähtöä varten. Logiikkatulot ovat CMOS/TTL-yhteensopivia, jännite jopa vain 3,3 V, helppo yhdistää ohjauslaitteisiin. Ylä- ja alapuolen viiveiden sovitus poistaa syklivääristymät ja mahdollistaa toiminnan korkealla taajuudella. STGAP2SiCS on saatavana kahtena eri konfiguraationa. Erillisiä lähtöjalkoja käyttävä konfiguraatio mahdollistaa, että käyttäjät optimoivat itsenäisesti käynnistyksen ja sammuttamisen käyttämällä dedikoituja hilavastuksia. Yhtä lähtöjalkaa ja Millerin CLAMP-funktiota käyttävä konfiguraatio ehkäisee hilapiikkejä nopeiden tilasiirtymien aikana puolisiltatopologioissa.