LT8418 100 V:n GaN-puolisiltaohjain

ADI:n LT8418 on 100 V:n GaN-puolisiltaohjain, joka sisältää ylä- ja alapuolen ohjausasteet, ohjainlogiikan ja suojausominaisuudet. Se voidaan konfiguroida synkronisen puolisilta- tai kokosiltatopologian mukaan tai jännitteenalennus-, jännitteenkorotus- tai jännitteenalennus-jännitteenkorotus-topologian mukaan. LT8418 tarjoaa vahvan sähkövirran syöttö/nielukyvyn 0,6 Ω:n ylösveto- ja 0,2 Ω:n alasvetoresistanssilla. Se sisältää älykkään integroidun bootstrap-kytkimen, joka generoi V_CC-jännitteestä tasapainotetun bootstrap-jännitteen minimaalisella jännitehäviöllä.

LT8418 käyttää jaettuja hilaohjaimia, jotka säätävät GaN FET -transistorien päälle- ja poiskytkennän muuttumisnopeutta värähtelyn vaimentamiseksi ja EMI-suorituskyvyn optimoimiseksi. Kaikki ohjaimien tulot ja lähdöt ovat oletusarvoisesti alhaalla, mikä estää GaN FET -transistorien virheaktivoinnit. LT8418-, INT- ja INB-tulot ovat riippumattomia ja yhteensopivia TTL-logiikan kanssa. LT8418-piirin etenemisviive on nopea 10 ns ja viiveiden sovitus pysyy erinomaisessa arvossa 1,5 ns ylä- ja alakanavan kesken, minkä ansiosta se sopii korkeataajuisiin DC/DC-muuntimiin, moottoriohjaimiin ja D-luokan audiovahvistimiin. Lisäksi LT8418 käyttää WLCSP-koteloa, joka minimoi loisinduktanssin ja mahdollistaa sen käytön erilaisissa korkeatehoisissa ja korkean tehotiheyden sovelluksissa.

EVAL-LT8418-BZ-evaluointipiiri käyttää LT8418-piiriä ohjaamaan kahta 100 V:n eGaN (enhanced Gallium Nitride) FET -transistoria puolisiltakonfiguraatiossa. Piiri on optimoitu jännitteenalennusmuuntimeksi mutta sitä voidaan käyttää myös jännitteenkorotusmuuntimena tai muissa muunnintopologioissa, jotka sisältävät puolisillan. Evaluointipiiri voi syöttää jopa 10 A, jos lämmönhallinta on kunnossa.