Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Tulokset : 40 128
Valmistaja
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Sarja
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Pakkaustapa
Cut Tape (CT)Digi-Reel®IrtotavaraKaukaloKoteloNauhaPussiPutkiRullattu teippi (TR)Teippi ja rasia (TB)
Tuotteen status
AktiivinenEi uusiin suunnitelmiinValmistus lopetettu Digi-KeylläVanhentunutViimeinen ostohetki
FET-tyyppi
-N-kanavatyyppiP-kanava
Teknologia
-GaNFET (galliumnitridi)GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)MOSFET (metallioksidi)SiC (piikarbidiliitostransistori)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
5 V5.5 V6 V7 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0,29mOhm @ 50A, 10V0,3mOhm @ 200A, 10V0,35mOhm @ 50A, 10V0,4mOhm @ 150A, 10V0,4mOhm @ 30A, 10V0,4mOhm @ 50A, 10V0,42mOhm @ 50A, 10V0,44mOhm @ 88A, 10V0,45mOhm @ 30A, 10V0,45mOhm @ 30A, 7V0,45mOhm @ 50A, 10V0,45mOhm @ 60A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id
400mV @ 1mA (min.)400mV @ 250µA (min.)450mV @ 100µA (min.)450mV @ 1mA (min.)450mV @ 250µA (min.)450mV @ 2mA (min.)500mV @ 250µA (min.)570mV @ 1mA (tyypillinen)600mV @ 1,2mA (min.)600mV @ 1mA (min.)600mV @ 1mA (tyypillinen)600mV @ 250µA (min.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V−10V, +20V-8V-8V, 0V−8V, +19V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-Lämpötilan tunnistava puolijohdediodiSchottky-diodi (eristetty)Schottky-diodi (runko)StandardiTyhjennystilaVirranmittaus
Tehohäviö (maks.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Toimintalämpötila
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)
Luokka
-AutoteollisuusSotilasteollisuus
Hyväksyntä
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Asennustyyppi
-Kiinnitys pintaanKiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reunaLäpivientiaukkoRunkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Pakkaus / kotelo
2-DFN avoin juotoskohta3-DFN avoin juotoskohta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, tasaiset johdot3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Flat Lead3-SMD, SOT-23-3-muunnos3-SMD, ei johtoa
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
MARKKINAPAIKAN TUOTE
40 128Tulokset
Näytetään
/ 40 128
Vertaa
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
Vgs (maks.)
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
FET-ominaisuus
Tehohäviö (maks.)
Toimintalämpötila
Luokka
Hyväksyntä
Asennustyyppi
Valmistajan laitepakkaus
Pakkaus / kotelo
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
38 723
Varastossa
1 : 0,16000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02851 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
35 816
Varastossa
1 850 000
Tehdas
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02909 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm @ 250mA, 10V1,5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-323SC-70, SOT-323
SC-101, SOT-883
SSM3K72KCT,L3F
MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
118 944
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02925 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanCST3SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 394 408
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02990 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
83 991
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03195 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
802 012
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03207 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm @ 50mA, 5V2,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
79 631
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03444 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 619 348
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03592 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm @ 100mA, 2,5V1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
793 176
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03613 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenP-kanavaMOSFET (metallioksidi)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
560 225
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03739 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm @ 240mA, 10V2,5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
237 060
Varastossa
1 : 0,29000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,03739 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm @ 150mA, 4,5V1V @ 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
504 134
Varastossa
99 000
Tehdas
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03782 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm @ 250mA, 10V1,5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
96 448
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03782 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm @ 240mA, 10V2,6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
426 623
Varastossa
510 000
Tehdas
1 : 0,29000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,03835 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm @ 220mA, 10V1,5V @ 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 251 147
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03887 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q100Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
359 456
Varastossa
7 206 000
Tehdas
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03887 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenP-kanavaMOSFET (metallioksidi)50 V130mA (Ta)5V10Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
924 381
Varastossa
1 : 0,24000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03970 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 300mA, 10V1,5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TA)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
886 414
Varastossa
1 : 0,24000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04014 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm @ 200mA, 4,5V800mV @ 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanUMT3FSC-85
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
558 781
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04225 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)100 V170mA (Ta)10V6Ohm @ 170mA, 10V2V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
399 738
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04268 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 003 548
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04287 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
942 269
Varastossa
1 : 0,27000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04500 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
828 004
Varastossa
1 : 0,27000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04498 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Tc)10V5Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
354 985
Varastossa
1 : 0,27000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04500 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 144 232
Varastossa
1 : 0,27000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04500 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm @ 300mA, 10V1,5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C – 150°C (TA)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanSOT-323SC-70, SOT-323
Näytetään
/ 40 128

Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Erillisiä kanavatransistoreja (FET) käytetään paljon tehomuunnoksissa, moottorin ohjauksessa, puolijohdevalaisimissa ja muissa sovelluksissa, joissa niille tyypillisestä nopeasta tilavaihdoksesta korkeilla taajuuksilla ja suurilla sähkövirroilla on etua. Niitä käytetään lähes yleismaailmallisesti sovelluksissa, joissa jänniteluokitus on satoja voltteja tai vähemmän. Tämän yläpuolella erityyppiset laitteet kuten IGBT:t käyvät kilpailukykyisemmiksi.