Asetukset
Nopea toimitus
Ilmainen toimitus
Incoterms
Maksutyypit
Markkinapaikan tuote
Transistorit - FET, MOSFET - RF
Tulokset : 10
Sarja
Pakkaustapa
Pakkaus / kotelo
Valmistajan laitepakkaus
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
MARKKINAPAIKAN TUOTE
10Tulokset
Käytetyt suodattimet Remove All
Näytetään / 10
1 - 10
Vertaa | Valm. osa # | Saatavana oleva määrä | Hinta | Sarja | Pakkaus | Tuotteen status | Transistorin tyyppi | Taajuus | Vahvistus | Virtaluokitus (ampeeria) | Kohinakerroin | Teho - lähtö | Pakkaus / kotelo | Valmistajan laitepakkaus |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 585 000 Markkinapaikka | 589 : 0,47572 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 13 500 Markkinapaikka | 589 : 0,47572 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 10 400 Markkinapaikka | 413 : 0,68094 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 30 000 Markkinapaikka | 1 519 : 0,18656 € Irtotavara | - | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | TO-252-3, DPak (2 johdinta + liuska), SC-63 | DPAK | |
 | 0 Markkinapaikka | 1 250 : 0,18656 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 0 Markkinapaikka | 1 519 : 0,18656 € Irtotavara | - | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 Markkinapaikka | 1 519 : 0,18656 € Irtotavara | - | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 0 Markkinapaikka | 1 519 : 0,18656 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 0 Markkinapaikka | 1 519 : 0,18656 € Irtotavara | * | Irtotavara | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | - | - | |
0 Varastossa | Aktiivinen | - | Rullattu teippi (TR) | Aktiivinen | - | - | - | - | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236AB |
Näytetään / 10
1 - 10
Transistorit - FET, MOSFET - RF
RF Transistors, FETs, and MOSFETs are a semiconductor device with three terminals where the current flowing through the device is controlled by an electric field. The devices in this family are designed be used in equipment involving radio frequencies. The transistor types for amplifying or switching the signal or power include E-pHEMT, LDMOS, MESFET, N-channel, P-channel, pHEMT, silicon carbide, 2 N-channel, and 4 N-channel.
Suomi