Näytetään
1 - 16
/ 16
Vertaa
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
Ohjattava konfiguraatio
Kanavan tyyppi
Ohjaimien lukumäärä
Hilan tyyppi
Syöttöjännite
Logiikan jännite - VIL, VIH
Virta - huippulähtö (lähde, nielu)
Tulon tyyppi
Yläpuolen jännite - maks. (Bootstrap)
Nousu/laskuaika (tyyp.)
Toimintalämpötila
Asennustyyppi
Pakkaus / kotelo
Valmistajan laitepakkaus
HVSOF5
BD2270HFV-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
Rohm Semiconductor
11 277
Varastossa
1 : 1,60000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,68981 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenKorkea puoliYksikanavainen1N-kanavatyypin MOSFET2,7V – 5,5V--Invertoimaton-130µs, 18µs-25°C – 85°C (TA)Kiinnitys pintaanSOT-6655-HVSOF
HVSOF5
BD2270HFV-LBTR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
Rohm Semiconductor
2 094
Varastossa
1 : 1,40000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,60026 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenKorkea puoliYksikanavainen1N-kanavatyypin MOSFET2,7V – 5,5V--Invertoimaton-130µs, 18µs-25°C – 85°C (TA)Kiinnitys pintaanSOT-6655-HVSOF
8-SOP
BS2101F-E2
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
Rohm Semiconductor
145
Varastossa
1 : 1,39000 €
Cut Tape (CT)
-
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinKorkea puoli tai matala puoliSynkroninen2IGBT, N-kanavatyypin MOSFET10V – 18V1V, 2,6V60mA, 130mAInvertoimaton600 V60ns, 20ns-40°C – 125°C (TA)Kiinnitys pintaan8-SOIC (0,173", 4,40mm leveys)8-SOP
SOP28
BS2132F-E2
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Rohm Semiconductor
121
Varastossa
1 : 3,14000 €
Cut Tape (CT)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
VanhentunutKorkea puoli3-vaihe3IGBT, N-kanavatyypin MOSFET11,5V – 20V0,8V, 2,6V-Invertoimaton600 V125ns, 50ns-40°C – 125°C (TA)Kiinnitys pintaan28-SOIC (0,295", 7,50mm leveys)28-SOP
20-SSOP
BM60212FV-CE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
1
Varastossa
1 : 4,19000 €
Cut Tape (CT)
2 000 : 2,23872 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenYläpuoli ja alapuoliSynkroninen2IGBT, N-kanavatyypin MOSFET10V – 24V0,8V, 2V4,5A, 3,9AInvertoimaton1200 V50ns, 50ns-40°C – 125°C (TA)Kiinnitys pintaan20-SSOP (0,240", 6,10mm leveys)20-SSOP-BW
20-SSOP
BM60213FV-CE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
1 : 4,19000 €
Cut Tape (CT)
2 000 : 2,23872 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenKorkea puoli tai matala puoliRiippumaton2IGBT, N-kanavatyypin MOSFET10V – 24V0,8V, 2V4,5A, 3,9AInvertoimaton1200 V50ns, 50ns-40°C – 125°CKiinnitys pintaan20-SSOP (0,240", 6,10mm leveys)20-SSOP-BW
24-HTSSOP
BD16950EFV-CE2
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
1 : 5,59000 €
Cut Tape (CT)
2 000 : 2,98590 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenPuolisiltaRiippumaton2N-kanavatyypin MOSFET3V – 5,5V--Invertoimaton---40°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan24-VSSOP (0,220", 5,60mm leveys) paljas antura24-HTSSOP-B
100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN
BD2320EFJ-LAE2
100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
1 : 2,33000 €
Cut Tape (CT)
2 500 : 1,12076 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenYläpuoli ja alapuoliRiippumaton2N-kanavatyypin MOSFET7,5V – 14,5V1.7V, 1.5V3,5A, 4,5AInvertoimaton100 V8ns, 6ns-40°C – 125°C (TA)Kiinnitys pintaan8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys) paljas antura-
1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
BD2310G-TR
1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
1 : 1,13000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,48552 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMatala puoliYksikanavainen1IGBT, N-kanavatyypin MOSFET4,5V – 18V-4A, 4AInvertoimaton-10ns, 10ns-40°C – 125°CKiinnitys pintaanSC-74A, SOT-7535-SSOP
20-SSOP
BM6103FV-CE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Aktiivinen
-
Irtotavara
AktiivinenMatala puoli-1IGBT, N-kanavatyyppi, P-kanavatyypin MOSFET4,5 – 5,5V--Invertoiva, Invertoimaton-50ns, 50ns-40°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan20-LSSOP (0,240", 6,10mm leveys)20-SSOP-B
16-SSOPB
BD6562FV-LBE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Vanhentunut
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
VanhentunutMatala puoliRiippumaton2IGBT, N-kanavatyyppi, P-kanavatyypin MOSFET10V – 25V-600mA, 600mAInvertoimaton---25°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan16-LSSOP (0,173", 4,40mm leveys)16-SSOP-B
16-SSOPB
BD6563FV-LBE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Vanhentunut
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
VanhentunutMatala puoliRiippumaton3IGBT, N-kanavatyyppi, P-kanavatyypin MOSFET10V – 25V-600mA, 600mAInvertoimaton---25°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan16-LSSOP (0,173", 4,40mm leveys)16-SSOP-B
BS2103F-E2
BS2103F-E2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Vanhentunut
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
VanhentunutPuolisiltaRiippumaton2IGBT, N-kanavatyypin MOSFET10V – 18V1V, 2,6V60mA, 130mAInvertoimaton600 V200ns, 100ns-40°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan8-SOIC (0,173", 4,40mm leveys)8-SOP
24-HTSSOP
BD16952EFV-ME2
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Aktiivinen
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenPuolisiltaRiippumaton2N-kanavatyypin MOSFET3V – 5,5V--Invertoimaton---40°C – 150°C (TJ)Kiinnitys pintaan24-VSSOP (0,220", 5,60mm leveys) paljas antura24-HTSSOP-B
188
Varastossa
1 : 1,17000 €
Cut Tape (CT)
*
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Aktiivinen--------------
SOP-8
BS2114F-E2
600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
Rohm Semiconductor
0
Varastossa
Vanhentunut
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
VanhentunutKorkea puoli tai matala puoliRiippumaton2IGBT, N-kanavatyypin MOSFET10V – 20V0,8V, 2,6V-Invertoiva600 V30ns, 30ns-40°C – 125°C (TA)Kiinnitys pintaan8-SOIC (0,173", 4,40mm leveys)8-SOP
Näytetään
1 - 16
/ 16

PMIC - hilaohjaimet


Gate driver Power Management Integrated Circuits (PMICs) are devices that provide isolation, amplification, reference shifting, bootstrapping, or other functions necessary to interface signals from a control device in a power conversion application to the semiconductor devices (usually FETs or IGBTs) through which the power being controlled passes. The exact functions offered by any particular device vary, but correlate with the semiconductor configuration it is adapted to drive.