Name: SIRA20BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.37195 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIRA20BDP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIRA20BDP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	9950 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIRA20