N-kanavatyyppi 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N65E-GE3

DigiKeyn tuotenumero
SIHB12N65E-GE3-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
SIHB12N65E-GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika
22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
±30V
Osan tila
Aktiivinen
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1224 pF @ 100 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
156W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-263 (D2PAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Päätuotenumero
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 2 816
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
13,29000 €3,29 €
501,66260 €83,13 €
1001,50450 €150,45 €
5001,22748 €613,74 €
1 0001,13849 €1 138,49 €
2 0001,06370 €2 127,40 €
5 0001,00596 €5 029,80 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:3,29000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:4,12895 €