Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.63095 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR510EP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR510EP-T1-RE3
Kuvaus	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIDR510EP-T1-RE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,6mOhm @ 20A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja TrenchFET® Gen V	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4980 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 33A (Ta), 148A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8DC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8