Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 5.58475 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STB30N65M2AG
DigiKeyn tuotenumero	497-STB30N65M2AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STB30N65M2AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STB30N65M2AG
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 190W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	STB30N65M2AG -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1440 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	190W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	STB30