Name: SCT070H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT070H120G3AGTR-ND
Price: 14.26935 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCT070H120G3AG
DigiKeyn tuotenumero	497-SCT070H120G3AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-SCT070H120G3AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-SCT070H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCT070H120G3AG
Kuvaus	H2PAK-7
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 30A (Tc) 223W (Tc) Kiinnitys pintaan H2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SCT070H120G3AG -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,2V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	37 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	900 pF @ 850 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	223W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	H2PAK-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA