Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 0.96635 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS1G120MNTB
DigiKeyn tuotenumero	RS1G120MNTBTR-ND - Rullattu teippi (TR) RS1G120MNTBCT-ND - Cut Tape (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS1G120MNTB
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RS1G120MNTB -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 570 pF @ 20 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 8-HSOP
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 16,2mOhm @ 12A, 10V	Päätuotenumero RS1G

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 13 323

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)