NVD6495NLT4G-VF01 onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVD6495NLT4G-VF01
DigiKeyn tuotenumero	NVD6495NLT4G-VF01OSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NVD6495NLT4G-VF01OSCT-ND - Cut Tape (CT) NVD6495NLT4G-VF01OSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVD6495NLT4G-VF01
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 25A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVD6495NLT4G-VF01 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1024 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	NVD6495