Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 12.1233 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTBG040N120M3S
DigiKeyn tuotenumero	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Rullattu teippi (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Cut Tape (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTBG040N120M3S
Kuvaus	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,4V @ 10mA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1700 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 263W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 57A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus D2PAK-7
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V	Päätuotenumero NTBG040