Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 11.0942 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPDQ60R022S7XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPDQ60R022S7XTMA1
Kuvaus	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPDQ60R022S7XTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™ S7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	12V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,44mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5639 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	416W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HDSOP-22-1
Pakkaus / kotelo	22-PowerBSOP-moduuli
Päätuotenumero	IPDQ60R